[发明专利]利用有机－无机复合介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件无效
| 申请号： | 200610005080.5 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1855501A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李光熙;周原提;林珍亨;姜润锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的存储器件包括具有布置在上电极和下电极之间的纳米沟道的存储层，其中该存储层由用于形成纳米孔的有机－无机复合物形成，并且所述存储层具有填入纳米孔的金属纳米颗粒或金属离子。因此，存储器件具有优异的重现性和均一的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 有机 无机 复合 材料 非易失性 纳米 沟道 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种存储器件，包括：上电极；下电极；和存储层，其中所述存储层布置在上电极和下电极之间，并包括具有纳米沟道的有机-无机复合物介孔材料，其中金属纳米颗粒或金属离子在所述的纳米沟道中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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