[发明专利]在基片上形成的光子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610005082.4 | 申请日： | 2006-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1828953A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 河东田隆 | 申请（专利权）人： | 河东田隆 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0256;H01L21/20;H01L31/18;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明针对发射或吸收具有短波长的光的光子器件，其通过使用基片上生长的氧化钼形成，所述基片由从以下选择的材料组成：单质半导体、III－V或II－IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体以及它们的衍生物或玻璃。实现了发射具有从蓝到深紫外线的波长的光的新的便宜的光子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基片上 形成 光子 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光子器件，其具有在基片上形成的氧化钼层，所述基片由从以下选择的材料组成：IV单质半导体、III-V或II-IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体或它们的衍生物或玻璃。
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