[发明专利]电力半导体器件

摘要

提供一种维持低导通电压且开关特性良好的电力半导体器件。一种电力半导体器件包含：在离开第2导电类型的集电极层(3)的位置，设置用于划分主单元(MR)和伪单元(DR)的间隔来在第1导电类型的第1基极层(1)内设置的多个沟槽(4)。在主单元内设置第2导电类型的第2基极层(7)和第1导电类型的发射极层(8)，在伪单元内设置第2导电类型的缓冲层(9)。与主单元邻接的沟槽内隔着栅绝缘膜(5)设置栅电极(6)。在缓冲层和发射极层之间插入具有无穷大电阻值的缓冲电阻。在伪单元中附加有使从集电极层流入缓冲层而贮存的第1导电类型的载流子数量减少的抑制结构(9a)。

主权项

1、一种电力半导体器件，包括：第1导电类型的第1基极层；在上述第1基极层上设置的第2导电类型的集电极层；在离开上述集电极层的位置，在上述第1基极层内形成的沟槽；与上述沟槽连接且在上述第1基极层上设置的第2导电类型的第2基极层；在上述第2基极层上设置的第1导电类型的发射极层；栅电极，设置在上述沟槽内，与夹在上述第1基极层和上述发射极层间的上述第2基极层的部分隔着栅绝缘膜相对；在上述集电极层上设置的集电极电极；在上述第2基极层和上述发射极层上设置的发射极电极；在上述第1基极层和上述第2基极层之间设置的比上述第1基极层杂质浓度更高的第1导电类型的阻挡层，在上述器件导通状态下，相对于从上述第1基极层通过上述第2基极层向上述发射极电极流入的第2导电类型的载流子的流动使得上述阻挡层的电阻增加，由此提高了从上述发射极层流向上述第1基极层的第1导电类型的载流子的注入效率；在上述第1基极层上设置的第2导电类型的转移层，以便能够从上述第1基极层排出第2导电类型的载流子；具有与上述发射极电极电连接的第1导电类型部分、与上述转移层电连接的第2导电类型部分的整流器件，上述整流器件在上述器件截止时由上述转移层的电位的变化而处于导通状态，从上述转移层向上述发射极电极排出第2导电类型的载流子。