[发明专利]一种显示屏阴栅电极的制备方法有效
申请号: | 200610005362.5 | 申请日: | 2006-01-17 |
公开(公告)号: | CN101004992A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 郭太良;张树人;林君坦 | 申请(专利权)人: | 厦门火炬福大显示技术有限公司;福州大学 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361006福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供一种改进的显示屏阴栅电极的制备方法,它包含下述步骤1)制备金属下电极及2)用剥离法制备绝缘膜与金属下电极,其特征是在步骤1)、2)之间还有步骤1A,及步骤2)后还有步骤2A,步骤1A是利用填平法制备金属下电极各条状之间的填充物;步骤2A是做窄金属上电极膜。本发明由于将上电极做窄,使得电极表面干净,边缘整齐,从而更有效地避免了上下电极边缘短路现象;由于制备了平整均匀的绝缘膜以及金属上电极,从而使得电场分布史均匀,更好地改变了电子的自聚焦,从而大大提高了显示的均匀性,并且具有更可靠的绝缘性。本发明还具有制备工艺简单,易操作,易实现,低成本等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示屏 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种显示屏阴栅电极的制备方法,它包含下述步骤:1)、制备金属下电极在清洁的平板玻璃上,通过直流溅射形成铬(钛)-铜-铝(铬)三层复合金属膜。2)、用剥离法制备绝缘膜与金属下电极在已经形成的下电极上利用溅射镀制一层适当厚度的SiO2-Al2O3(Ta2O5)多层绝缘膜及金属上电极膜铬(钛)-铜-铝(铬);具特征是在步骤1、2之间还有步骤1A,及步骤2后还有步骤2A,步骤1A是利用填平法制备金属下电极各条状之间的填充物;步骤2A是做窄金属上电极膜。
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