[发明专利]一种擦除一个或多个非易失存储器单元的方法、电路和系统无效
| 申请号： | 200610005416.8 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1822233A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 阿萨夫·沙比尔;夏伊·艾森 | 申请（专利权）人： | 赛芬半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁;李晓雯 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明是一种擦除非易失存储器(“NVM”)阵列或阵列段上的NVM单元的方法、电路或系统。按照本发明的一个例子，一个或多个擦除脉冲参数可与NVM阵列内的每个阵列段相关联。无论何处，个别的擦除脉冲参数可与NVM阵列内一个以至所有阵列段相关联。按本发明的某些例子，施加到阵列段内一个或多个NVM单元上的擦除脉冲的特性(如脉冲振幅、脉冲持续时间等)可至少部分基于一个或多个与给定阵列段相关联的擦除脉冲参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 擦除 一个 多个非易失 存储器 单元 方法 电路 系统 | ||
【主权项】：
1、一种擦除NVM阵列段上的一个或多个非易失存储器单元的方法，所述方法包括：向NVM单元施加一个擦除脉冲，该擦除脉冲的特性至少部分基于与给定阵列段相关联的可更新的擦除脉冲参数。
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