[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610005457.7 | 申请日： | 2006-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1815720A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 西村芳孝;两角朗;大西一永;望月英司;高桥良和 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：散热基底、焊接至所述散热基底的绝缘基片和焊接至所述绝缘基片的半导体芯片，所述绝缘基片包括陶瓷板和设置在陶瓷板的两个表的面上的导体层，其中所述绝缘基片用无铅的焊料连接至各半导体芯片和散热基底，且所述散热基底用无铅的焊料焊接成大致平坦的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机电子设备技术株式会社，未经富士电机电子设备技术株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610005457.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微型马达
- 下一篇：同步数据传输电路、计算机系统和存储器系统
