[发明专利]非挥发性存储器的抹除方法

摘要

一种非挥发性存储器的抹除方法，此方法包括：(a)于各个存储单元列中的奇数编号的选择栅极上施加第一电压，偶数编号的选择栅极上施加第二电压，且第一电压与第二电压的电压差可使注入存储单元的浮置栅极的电子，经由选择栅极而移除。(b)进行一切换动作，使第一电压与第二电压以分别施加于各存储单元列中的偶数编号的选择栅极上以及奇数编号的选择栅极上，并使注入这些存储单元的浮置栅极的电子，经由选择栅极拉出而使存储单元成为抹除状态。

主权项

1、一种非挥发性存储器的抹除方法，适用于包括有多个存储单元列的存储单元阵列，各该存储单元列中的该些存储单元串联连接于源极区与漏极区之间，且在每两相邻该些存储单元之间、最靠近该源极区的该存储单元与该源极区之间以及最靠近该漏极区的该存储单元与该漏极区之间设置有选择栅极，其中各该些存储单元至少包括穿隧介电层、浮置栅极以及控制栅极，该方法包括：(a)于各该存储单元列中的奇数编号的该些选择栅极上施加第一电压，偶数编号的该些选择栅极上施加第二电压，且该第一电压与该第二电压的电压差可使注入该些存储单元的该浮置栅极的电子，经由该些选择栅极而移除；以及(b)进行切换动作，使该第一电压与该第二电压以分别施加于各该存储单元列中的偶数编号的该些选择栅极上以及奇数编号的该些选择栅极上，并使注入该些存储单元的该浮置栅极的电子，经由该些选择栅极拉出而使该些存储单元成为抹除状态。