[发明专利]薄膜晶体管阵列板无效
申请号: | 200610005899.1 | 申请日: | 2006-01-19 |
公开(公告)号: | CN1825601A | 公开(公告)日: | 2006-08-30 |
发明(设计)人: | 姜珍奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列显示板,其包括:基板;形成在所述基板上的多个半导体岛;覆盖所述半导体岛的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上的多条栅极线;连接到所述源极区且形成在所述栅极绝缘层上的多条数据线;以及连接到所述漏极区的多个像素电极。阵列的相同列中半导体之间,半导体的选定作为栅极区的部分的晶粒边界处的凸出的数目变化(不同、不相等),其防止由泄漏电流引起的可见条纹,所述泄漏电流由所述凸出导致。所述阵列的相同列内所述半导体之间,每个半导体岛的位置变化。供选地,所述阵列的相同列中均匀定位的半导体之间,定义所述半导体岛的所述栅极区的所述栅极电极的位置变化。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列板,包括:基板;多个半导体,其形成在所述基板上且包括多个沟道区;栅极绝缘层,其覆盖所述半导体的所述沟道区;多条栅极线,其连接到交迭所述沟道区的多个栅极电极;以及多条数据线,其中两个不同像素的相应的半导体相对于其各自的像素位于两个不同的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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