[发明专利]存储器有效
| 申请号： | 200610005919.5 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1825475A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 宫本英明;境直史;山田光一;松下重治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阀值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态时的阀值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种存储器，包括：存储单元，其与位线相连接、保存数据；电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管，其连接在所述位线和所述电荷蓄积机构之间、对在所述存储单元中保存的所述数据相对应的电荷从所述位线向所述电荷蓄积机构的传输进行控制；数据判断装置，其读取由在所述电荷蓄积机构中蓄积的所述电荷产生的电压所对应的所述存储单元的数据，所述第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的另一个端子之间的电位差，被设定为利用所述第1场效应型晶体管的阀值电压，所述第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态时的所述阀值电压。
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