[发明专利]等离子体表面加工设备无效
申请号: | 200610005949.6 | 申请日: | 2003-10-07 |
公开(公告)号: | CN1811012A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 川崎真一;中武纯夫;北畠裕也;山嶋节男;江口勇司;安西纯一郎;中野良宪 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01L21/205 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种包含加工头3的等离子体表面加工设备。加工头3包括其上设置有第一种流道50a的电场施加电极51和其上设置有第二种流道50b的接地电极52,通过在电极51、52之间施加电场产生等离子体放电。加工头3的下表面与基材W平行相对。在加工头3的下表面中,设置有与所述第一种流道50a连通的第一种喷气口25a和与所述第二种流道50b连通的第二种喷气口25b。喷气口25a、25b在将基材W相对于加工头3转移的方向上彼此分离。第一种气体通过第一种流道50a并通过第一种喷气口25a喷出。第二种气体通过第二种流道50b时被激发并通过第二种喷气口25b喷出。第一种气体与激发的第二种气体接触使得第一种气体被激发并与基材W接触,从而加工基材W。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 表面 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体表面加工设备,其中,第一种气体与被等离子体放电激发的第二种气体接触以使所述第一种气体被激发,并与基材表面接触,从而加工所述基材表面,所述设备包括:加工头,所述的加工头包括:第一电极,其具有限定用于所述第一种气体的第一种流道的表面;和第二电极,其与所述第一电极的另一个表面一起限定用于所述第二种气体的第二种流道,通过向所述第一电极和所述第二电极之间施加电场在所述第二种流道中产生所述等离子体放电;所述的加工头具有与所述基材平行相对的相对表面,所述相对表面具有与所述第一种流道连通的第一喷气口和与所述第二种流道连通的第二喷气口,所述第一喷气口和所述第二喷气口在一个方向上彼此分开放置;和转移机构,其将所述基材在所述方向上相对于所述加工头相对地转移。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的