[发明专利]制造固态成像器件的方法和固态成像器件及照相机有效
申请号: | 200610006005.0 | 申请日: | 2006-01-23 |
公开(公告)号: | CN1819147A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
发明(设计)人: | 宫本宏之;堂福忠幸 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了用于制造能改进在光接收单元中的感光度特性的固态成像器件的方法、感光度特性改进了的固态成像器件和设置有该固态成像器件的照相机。在形成有光接收单元的衬底上形成围绕所述光接收单元突出的屏蔽膜;透明绝缘膜形成在所述屏蔽膜上;通过所述绝缘膜的回蚀,在所述屏蔽膜的侧壁中形成侧壁绝缘膜;在所述屏蔽膜上形成在相应于所述光接收单元位置具有孔的掩模层;且通过采用侧壁绝缘膜和掩模层作为掩模来蚀刻所述屏蔽膜以形成暴露所述光接收单元的孔部分。 | ||
搜索关键词: | 制造 固态 成像 器件 方法 照相机 | ||
【主权项】:
1、一种制造固态成像器件的方法,包括如下步骤:在衬底的成像区中形成光接收单元;在衬底上形成围绕所述光接收单元突出的屏蔽膜;在所述屏蔽膜上形成光学透明绝缘膜;通过回蚀来处理所述绝缘膜以在形成于所述光接收单元的周边部分中的屏蔽膜的侧壁中形成侧壁绝缘膜;在所述屏蔽膜上相应于光接收单元的位置形成具有掩模孔的掩模层;和通过使用所述侧壁绝缘膜和掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述屏蔽膜以形成暴露光接收单元的孔部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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