[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管，包括一栅极、一绝缘层、一沟道层、一蚀刻中止层、一欧姆接触层、一源极及一漏极。栅极设置于一基板上。绝缘层设置于基板之上，并覆盖栅极。沟道层设置于部分的绝缘层上，并对应于栅极，且沟道层的宽度小于或等于栅极的宽度。蚀刻中止层设置于部分的沟道层上，并对应于栅极，且蚀刻中止层的宽度小于沟道层的宽度。欧姆接触层设置于部分的绝缘层上，并覆盖蚀刻中止层的二端及沟道层的二端。源极及漏极设置于欧姆接触层上，用以对应地透过欧姆接触层与沟道层的此二端电连接。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：栅极，设置于基板上；绝缘层，设置于该基板之上，并覆盖该栅极；沟道层，设置于部分的该绝缘层上，并对应于该栅极，且该沟道层的宽度小于或等于该栅极的宽度；蚀刻中止层，设置于部分的该沟道层上，并对应于该栅极，且该蚀刻中止层的宽度小于该沟道层的宽度；欧姆接触层，设置于部分的该绝缘层上，并覆盖该蚀刻中止层的二端及该沟道层的二端；以及源极及漏极，设置于该欧姆接触层上，用以对应地透过该欧姆接触层与该沟道层的该二端电连接。