[发明专利]制造具有侧壁间隔层的半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件制造方法。在晶片10的隔离膜16中的元件开口16a和16b中形成不同厚度的栅极绝缘膜12A和12B。栅极绝缘膜12B为最薄栅极绝缘膜。厚度与最薄栅极绝缘膜12B相同的虚设绝缘膜形成在晶片周边区域WP中。栅极电极20A和20B形成在栅极绝缘膜12A和12B上，其后在晶片表面上沉积绝缘膜。干法蚀刻所沉积的绝缘膜，从而在栅极电极20A和20B的侧壁上形成侧壁间隔层22a至22d。在干法蚀刻期间，通过蚀刻副产物发射谱强度的变化探测元件开口16b和区域WP中暴露出半导体表面的时间作为蚀刻终点。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，包括步骤：(a)在半导体衬底的多个有源区和虚设区以外的区域中形成隔离区；(b)在所述有源区和虚设区上形成薄绝缘膜；(c)在所述有源区中所述薄绝缘膜上形成栅极电极；(d)通过使用所述栅极电极作为掩模在所述有源区中注入杂质离子从而形成浅源极/漏极区；(e)在所述半导体衬底上沉积间隔层绝缘膜，所述间隔层绝缘膜覆盖所述栅极电极；(f)各向异性地蚀刻所述间隔层绝缘膜，探测所述半导体衬底的表面在所述有源区和虚设区中暴露的时间作为蚀刻终点，保留每个所述栅极电极侧壁上的侧壁间隔层；以及(g)使用所述栅极电极和侧壁间隔层作为掩模向所述有源区中注入杂质离子，从而在所述有源区中形成低电阻率且深源极/漏极区。