[发明专利]掺有锑、镓或铋的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610006120.8 | 申请日： | 2006-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1828938A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 田尚勋;金桢雨;黄显相;白圣权;崔相武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336;H01L21/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储期间包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 掺有锑 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种；绝缘层，设置得与所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域接触；以及栅电极层，设置得与所述绝缘层接触。
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