[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610006154.7 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1819267A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 外园明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：栅电极，具有在半导体衬底的元件形成区域上隔着栅极绝缘膜而依次形成的包含砷的多晶硅膜、多晶硅锗膜和第1镍硅化物层的叠层结构；侧壁绝缘膜，具有形成于所述栅电极的侧面的绝缘膜；源及漏层，形成于所述栅电极的两侧的所述元件形成区域内，且包含砷；以及第2镍硅化物层，形成于所述源及漏层上；包含于所述栅电极内的砷的峰值浓度小于等于包含于所述源及漏层中的砷的峰值浓度的十分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：栅电极，具有在半导体衬底的元件形成区域上隔着栅极绝缘膜而依次形成的包含砷的多晶硅膜、多晶硅锗膜和第1镍硅化物层的叠层结构；侧壁绝缘膜，具有形成于所述栅电极的侧面的绝缘膜；源及漏层，形成于所述栅电极的两侧的所述元件形成区域内，且包含砷；以及第2镍硅化物层，形成于所述源及漏层上；包含于所述栅电极内的砷的峰值浓度小于等于包含于所述源及漏层中的砷的峰值浓度的十分之一。
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