[发明专利]薄膜晶体管阵列面板有效
申请号: | 200610006160.2 | 申请日: | 2006-01-25 |
公开(公告)号: | CN1828910A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 文国哲;朱胜镛;金一坤;朴泰炯 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。阵列面板包括基本一致的存储电容,且以相对小的面积容许相对大的电容。在一些实施例中,该面板包括:基板;在基板上的多个半导体区域,其包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域;栅极绝缘层,其覆盖至少部分半导体区域;包括栅极电极的栅极线,其至少部分地交迭沟道区域且形成在栅极绝缘层上;包括存储电极的存储线,其至少部分地交迭存储区域且形成在栅极绝缘层上;包括源极电极的数据线,其连接到源极区域且形成在栅极绝缘层上;漏极电极,其连接到漏极区域和虚设区域且形成在栅极绝缘层上;以及象素电极,其连接到漏极电极。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;在所述基板上的多个半导体区域,所述半导体区域包括掺杂以第一杂质类型的多个源极和漏极区域、掺杂以不同的第二杂质类型的虚设区域、以及具有存储和沟道区域的本征区域;栅极绝缘层,其覆盖至少部分所述半导体区域;包括栅极电极的栅极线,所述栅极电极至少部分地交迭所述沟道区域且形成在所述栅极绝缘层上;包括存储电极的存储线,所述存储电极至少部分地交迭所述存储区域且形成在所述栅极绝缘层上;包括源极电极的数据线,所述源极电极连接到所述源极区域且形成在所述栅极绝缘层上;漏极电极,其连接到所述漏极区域和所述虚设区域且形成在所述栅极绝缘层上;以及象素电极,其连接到所述漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的