[发明专利]晶片级封装与制作上盖结构的方法

摘要

本发明公开了一种晶片级封装的方法。所述方法包括在一上盖晶片的表面形成多个凹穴与图案化光致抗蚀剂；蚀刻未被该图案化光致抗蚀剂覆盖的该上盖晶片以形成多个孔。接合具有所述凹穴的表面的该上盖晶片与透明晶片，并切割该凹穴周围的该上盖晶片，以形成多个上盖结构。提供器件晶片，气密接合所述上盖结构与该器件晶片，以在该器件晶片上形成多个气密视窗。

主权项

1.一种晶片级封装的方法，包含有：提供上盖晶片；在所述上盖晶片的表面形成多个凹穴；在所述上盖晶片形成图案化光致抗蚀剂，蚀刻未被所述图案化光致抗蚀剂覆盖的所述上盖晶片以形成多个孔，并去除所述图案化光致抗蚀剂；接合具有所述凹穴的表面的所述上盖晶片与透明晶片，其中所述凹穴未与所述透明晶片接合；切割所述凹穴周围的所述上盖晶片，以使所述凹穴部分的所述上盖晶片脱落并形成多个上盖结构；提供器件晶片，所述器件晶片包含有多个器件及多个与所述器件电连接的接触垫；以及使所述上盖结构的位置对应于所述器件的位置，并气密接合所述上盖结构与所述器件晶片，以在所述器件上形成多个气密视窗。