[发明专利]溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法无效
| 申请号： | 200610006348.7 | 申请日： | 2006-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1807680A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 国定照房;荻野悦男;筏井正博 | 申请（专利权）人： | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种根据本发明的溅射靶，其包括含NbOx和TiOx的氧化物烧结体，其中靶子中Ti原子的丰度比为包括两端值的70％～90％。优选地，所述氧化物烧结体具有不高于10Ω·cm的比电阻值。优选地，所述氧化物烧结体具有不大于7×10－6/K的热膨胀系数，以及不低于10×10－4cal/mm·K·sec的热传导率。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 形成 介电膜 以及 用于 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其包括具有TixNbyOz所表示组成的氧化物烧结体，在TixNbyOz中x，y和z分别表示正数，其中靶子内的Ti原子丰度比为包括两端点值的70％～90％；靶子构成材料的氧化程度为包括两端点值的90％～99％。
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