[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可以防止因存储单元元件区域宽度的减小导致元件特性恶化的半导体器件。该半导体器件具有在半导体衬底1上形成的元件隔离区域7a、由元件隔离区域7a所隔开的元件区域6a、在元件区域6a上形成的栅绝缘膜3a、在栅绝缘膜3a上形成的栅电极4a。此外，还具有在半导体衬底1上形成的元件隔离区域7b、由元件隔离区域7b所隔开的元件区域6b、在元件区域6b上形成的栅绝缘膜3b、在栅绝缘膜3b上形成的栅电极4b。在元件隔离区域7a和元件区域6a之间形成氧化硅膜8a，在元件隔离区域7b和元件区域6b之间形成氧化硅膜8b。元件隔离区域7a的宽度比元件隔离区域7b的宽度窄，氧化硅膜8a的厚度比氧化硅膜8b的厚度薄。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的第1隔离区域；由上述第1隔离区域所隔开的第1元件区域；在上述第1元件区域上形成的第1栅绝缘膜；在上述第1栅绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述半导体衬底上形成的第2隔离区域；由上述第2隔离区域所隔开的第2元件区域；在上述第2元件区域上形成的第2栅绝缘膜；在上述第2栅绝缘膜上形成的第2栅电极；在上述第1隔离区域与上述第1元件区域之间形成的第1氧化膜；和在上述第2隔离区域与上述第2元件区域之间形成的第2氧化膜，其中，上述第1隔离区域的宽度比上述第2隔离区域的宽度窄；且上述第1氧化膜的厚度比上述第2氧化膜的厚度薄。