[发明专利]具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610006392.8 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1929028A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 姜东求;边大锡;林瀛湖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种NAND类型的非易失性半导体存储器件，其包括单元串，单元串包括伪单元，伪单元插入在所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元之间，并且串行连接到所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元。该NAND类型的非易失性半导体存储器件还包括适合用于激活伪字线以选通伪单元的伪字线驱动器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 统一 存储 单元 操作 特性 非易失性 半导体 器件 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储器件，包括：单元串，包括：非易失性存储单元系列，其包括多个串行连接的非易失性存储单元的，其中，每个非易失性存储单元都是电可擦除和可编程的，选择晶体管，其连接到所述非易失性存储单元系列，以及伪单元，其插入在所述选择晶体管和非易失性存储单元系列之间，并且串行连接到所述选择晶体管和非易失性存储单元系列；以及驱动器块，包括：适合用于选择性地激活多个普通字线中的任何普通字线的普通字线驱动器，其中，被激活的普通字线选通所述多个非易失性存储单元中相应的非易失性存储单元，以及适合用于激活伪字线以选通所述伪单元的伪字线驱动器。
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