[发明专利]晶片的分割方法

摘要

本发明提供一种可以将晶片沿形成了变质层的预定分割线准确地进行分割，并且可以获得抗折强度高的芯片的晶片分割方法，该分割方法包括：变质层形成工序，沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束，并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层；晶片支承工序，在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后，在安装于环状的框架上的保护带的表面上粘贴晶片的一个面；以及晶片断裂工序，对实施了该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力，沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片，该变质层形成工序在晶片的厚度为t时，从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t～0.3t的无变质区域来形成变质层。

主权项

1.一种晶片的分割方法，将晶片沿预定分割线分割为各芯片，该晶片在表面上格子状地形成有多个上述预定分割线，并且在由该多个预定分割线划分的多个区域形成了功能元件，其特征在于，该分割方法包括：变质层形成工序，沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束，并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层；晶片支承工序，在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后，在环状的框架上安装的保护带的表面粘贴晶片的一个面；以及晶片断裂工序，对实施该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力，沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片，设晶片的厚度为t时，该变质层形成工序从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t～0.3t的无变质区域而形成变质层。