[发明专利]晶片的分割方法无效
申请号: | 200610006434.8 | 申请日: | 2006-01-20 |
公开(公告)号: | CN1828863A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 小林贤史;中村胜;能丸圭司;渡边阳介;永井祐介 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪斯科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/301 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可以将晶片沿形成了变质层的预定分割线准确地进行分割,并且可以获得抗折强度高的芯片的晶片分割方法,该分割方法包括:变质层形成工序,沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束,并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层;晶片支承工序,在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后,在安装于环状的框架上的保护带的表面上粘贴晶片的一个面;以及晶片断裂工序,对实施了该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力,沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片,该变质层形成工序在晶片的厚度为t时,从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t~0.3t的无变质区域来形成变质层。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的分割方法,将晶片沿预定分割线分割为各芯片,该晶片在表面上格子状地形成有多个上述预定分割线,并且在由该多个预定分割线划分的多个区域形成了功能元件,其特征在于,该分割方法包括:变质层形成工序,沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束,并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层;晶片支承工序,在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后,在环状的框架上安装的保护带的表面粘贴晶片的一个面;以及晶片断裂工序,对实施该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力,沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片,设晶片的厚度为t时,该变质层形成工序从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t~0.3t的无变质区域而形成变质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造