[发明专利]晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件有效
| 申请号： | 200610006436.7 | 申请日： | 2006-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1828835A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李家铭;陈宗良;陈怡伶;刘育全;綦振瀛 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01L29/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成晶态氮化镓基材料的方法中，在第一处理温度下于基材上形成第一成核层，然后在第二处理温度下于第一成核层上形成第二成核层，其中第二处理温度不同于第一处理温度，且第一及第二成核层由AlxInyGa (1－x－y) N组成。然后，使基于晶态氮化镓的层外延生长于第二成核层上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶态 氮化 化合物 生长 方法 以及 包含 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、形成基于氮化镓(GaN)的层的方法，其包括：在第一处理温度下于基材上形成第一成核层；在第二处理温度下于该第一成核层上形成第二成核层，该第二处理温度低于该第一处理温度；以及于该第二成核层上形成基于外延氮化镓的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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