[发明专利]有源像素传感器和有源像素传感器阵列有效
| 申请号： | 200610006730.8 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1819630A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 金永灿;金利泰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种CMOS有源像素传感器，其包括：光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、叉指型源极跟随器晶体管和选择晶体管，其中，所述光电二极管响应入射光产生电荷，所述传输晶体管将存储在所述光电二极管中的电荷传输至感测节点，所述复位晶体管耦合至电源电压，其对所述感测节点的电压进行复位，使所述感测节点基本上具有电源电压的电平，所述叉指型源极跟随器晶体管对所述感测节点的电压进行放大，所述选择晶体管响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路，因此，可以增大所述源极跟随器晶体管的沟道长度，并降低由源极跟随器晶体管引起的MOS器件噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 像素 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体有源像素传感器，其包括：用于响应入射光产生电荷的光电二极管；用于将存储在所述光电二极管内的电荷传输至感测节点的传输晶体管；耦合至电源电压，用于对所述感测节点的电压进行复位，使得所述感测节点基本上具有所述电源电压的电平的复位晶体管；用于对所述感测节点的电压进行放大的叉指型源极跟随器晶体管；以及用于响应于选择信号将所述叉指型源极跟随器晶体管的源电极电压传输至内部电路的选择晶体管。
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