[发明专利]具有场氧化物膜的半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种具有场氧化物膜的半导体器件的制造方法。在硅衬底的主表面上，由氮化硅制成的侧分隔件形成在包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜的叠层的侧壁上。此后，通过使用该叠层、侧分隔件和抗蚀剂层作为掩模注入杂质离子而形成沟道停止离子掺杂区。在除去抗蚀剂层和侧分隔件后，通过采用叠层作为掩模的选择氧化形成场氧化物膜，并形成相应于离子掺杂区的沟道停止区。在除去该叠层后，例如MOS型晶体管的电路器件形成在场氧化物膜的每个器件开口中。

主权项

1、一种半导体器件制造方法，包括如下步骤：制备硅衬底，其具有至少一个一种导电类型的区；在所述硅衬底的主表面上从底部按照所提及的顺序层叠第一氧化硅膜、氮化硅膜和第二氧化硅膜；根据期望的器件开口图案，构图至少包括所述第一氧化硅膜、所述氮化硅膜和所述第二氧化硅膜中的所述氮化硅膜和所述第二氧化硅膜的叠层；形成由氮化硅制成并覆盖所述叠层一侧的侧分隔件；通过采用所述叠层和所述侧分隔件作为掩模，注入所述第一种导电类型的杂质离子到所述硅衬底的主表面中，以形成沟道停止离子掺杂区；和在除去所述侧分隔件后，通过采用所述叠层作为掩模的选择氧化，形成具有相应于所述硅衬底主表面上的所述叠层的器件开口的场氧化物膜，并在所述离子掺杂区的基础上形成所述一种导电类型的沟道停止区。