[发明专利]互连衬底和半导体器件有效
| 申请号： | 200610006815.6 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1819176A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 小川健太;塚野纯;前田武彦;下户直典;山道新太郎;马场和宏 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/12;H05K1/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种互连衬底具有：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部；位于凹陷部中的第一互连；形成在基底绝缘膜中的通路孔；以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中互连衬底包括：由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形；以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种互连衬底，包括：基底绝缘膜，在其下表面中具有凹陷部，位于凹陷部中的第一互连，形成在基底绝缘膜中的通路孔，以及第二互连，其经由通路孔内的导体连接到第一互连并且形成在基底绝缘膜的上表面上，其中该互连衬底包括由第一互连形成的第一互连图形，其至少包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的线性图形，以及翘曲控制图形，其位于基底绝缘膜的下表面中的凹陷部中，并且以抑制互连衬底在第一方向的两侧向底侧翘曲的方式形成。
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