[发明专利]集成电路以及其制造方法有效
申请号: | 200610006877.7 | 申请日: | 2006-01-23 |
公开(公告)号: | CN1832129A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 郑光茗;郑钧隆;刘重希;庄学理 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/525 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种熔丝结构以及其制造方法,在本发明的一个实施例之中,此一方法包括在半导体基材之上提供多层内连线结构。此一多层内连线结构包括复数个熔丝连结特征以及复数个焊线连结特征。一个钝化层形成于多层内连线结构之上,且图案化此一钝化层借以形成复数个开口,每一个开口是对这些熔丝连接特征,或复数个焊线连接特征其中的一者。一个导电层形成在钝化层上,以及这些开口之内。导电层是借由图案化形成复数个焊线特征以及复数个熔丝结构。每一个焊线特征与该些个个焊线连接特征其中之一形成电性接触,且每一个熔丝结构与该些个熔丝连结特征其中的二者形成电性接触。一个覆盖介电层形成于这些熔丝结构之上,且借由图案化将至少一个焊线特征暴露出来,同时留下被覆盖的这些熔丝结构。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路的制造方法,其特征在于至少包括以下步骤:在一半导体基材之上提供一多层内连线结构,其中该多层内连线结构至少包括,复数个熔丝连结特征、以及复数个焊线连结特征;提供一钝化层形成于多层内连线结构之上;图案化该钝化层借以形成复数个开口,每一开口对准该些熔丝连接特征其中之一,或对准该些焊线连接特征其中之一;形成一导电层在该钝化层以及该些开口上方;图案化该导电层借以形成复数个焊线特征以及复数个熔丝结构,其中每一该些焊线特征与该些焊线连接特征其中之一形成电性接触,且其中每一该些熔丝结构与该些个熔丝连结特征其中之二形成电性接触;形成一覆盖介电层于该些熔丝结构之上;以及图案化该覆盖介电层,借以将至少一该焊线特征暴露出来,同时留下被覆的该些熔丝结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造