[发明专利]半导体激光器件、其制造方法以及使用其的光学拾取器件无效
| 申请号： | 200610006897.4 | 申请日： | 2006-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1848566A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 高山彻 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343;G11B7/125 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高可靠性和理想的温度特性同时是高功率器件的半导体激光器件。在衬底上形成有源层以及其间夹置该有源层的两个覆层。所述覆层中的一个形成台面形状的脊，并且该脊包括分开成至少两个分支的波导区域。利用这种结构，减小了注入到有源层的后刻面部分中的载流子密度，由此可以改善半导体激光器的温度特性。同时该器件包括一个区域，在该区域上，脊底部宽度连续变化，脊底部宽度在刻面附近是常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 以及 使用 光学 拾取 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器件，包括：形成在衬底上的有源层；形成在该有源层的相对表面上的两个覆层；以及由所述覆层中的一个形成的台面形状的脊，其中该脊形成分开成至少两个分支的波导区域。
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