[发明专利]制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法

摘要

本发明披露了一种制备基于掺杂的氧化锡的半导体陶瓷的方法，该方法是通过将PADO(前体合金直接氧化)型方法用于锡和掺杂金属的合金上，或者通过将PADO型方法用在锡上，而掺杂金属以氧化物形式加到要烧结的粉末中。

主权项

1.用于制备半导体陶瓷的方法，所述陶瓷包括，优选包括，基础金属氧化物和至少一种掺杂金属氧化物，其中依次进行下列步骤：将锡金属(Sn)，和一种或一种以上的其它掺杂金属和/或其它掺杂金属的一种或一种以上的盐被放入坩锅中；使放入坩锅中的锡和所述掺杂金属和/或掺杂金属的盐在中性或还原性气氛中融化，同时混合融化的锡和掺杂金属和/或掺杂金属的盐，以便获得均匀的金属的液体混合物或合金；由所述均匀的金属的液体混合物或合金开始，直接或在可选的粒径筛分的操作之后，制备具有预定粒径的金属合金粉末，所述粉末的每个颗粒都是均匀的；将所有具有预定粒径的金属合金粉末或具有预定粒径的部分的粉末全部或部分氧化，以便获得全部或部分氧化的均匀的粉末，避免颗粒的聚结；使全部或部分氧化的均匀的粉末成形；烧结所述成形的粉末。