[发明专利]存储装置以及其制造方法有效
申请号: | 200610006976.5 | 申请日: | 2006-01-26 |
公开(公告)号: | CN1828903A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 浅见良信 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L21/8239 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 韦欣华;邹雪梅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中,提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件,该有机化合物夹在电极之间,其中,将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外,由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件,从而,可以实现低成本化。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储装置,包括:具有形成在绝缘表面上的杂质区的半导体膜;与所述半导体膜连接,并且在所述杂质区上形成有开口的绝缘膜;形成在所述开口中的用作与所述杂质区电连接的源极或漏极的导电膜,该导电膜用作底部电极;在所述开口中的形成在所述导电膜上的绝缘物;以及形成在所述绝缘物上的上部电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的