[发明专利]利用PVD法的成膜方法以及利用于PVD法的成膜用靶无效
| 申请号： | 200610006980.1 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1811009A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 山下英毅;大熊崇文;早田博;山西齐;木村忠司;中上裕一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种成膜装置，具有：在其内部形成实施成膜处理的减压空间的处理容器；保持被实施所述成膜处理的基材的基材保持部；支持靶的靶支持部；向所述靶支持部施加电力，使得在所述减压空间中产生等离子体的电源装置，其中，所述靶在其表面上具有由粉体材料构成的粉体靶配置在其内周面上的凹部。通过使用所述靶进行成膜处理，可以提高成膜速度的面内均匀性，实现稳定的成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 pvd 方法 以及 成膜用靶 | ||
【主权项】：
1.一种利用PVD法的成膜方法，在处理容器内，对表面形成有由粉体材料构成并且深度在1mm以上的凹部的靶施加电力，使得在所述处理容器内产生等离子体，利用所述等离子体从所述靶产生溅射粒子，同时通过所述溅射粒子对所述基材进行成膜处理。
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