[发明专利]半导体传感器无效
| 申请号： | 200610006986.9 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1822722A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 松原直辉 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R1/02;G01L19/14;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可进一步提高生产率的半导体传感器。在构成静电电容检测型的半导体扩音器、在半导体基板18上形成隔膜电极19和固定电极20的对向电极的扩音器芯片15上，形成埋入半导体的贯通电极26，以连通该半导体基板18的上面和下面。因此，当然不用引线接合、可通过贯通电极26，直接将由隔膜电极19等构成的MEMS结构电连接到印刷电路基板11的引线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体传感器(15；30；40；50)，其中具备：具有第1面、及与上述第1面相反的第2面的半导体基板(18)；设在上述半导体基板的上述第1面上的隔膜(19)；和贯通上述半导体基板的贯通电极(26)。
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