[发明专利]非易失存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610007024.5 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101022114A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张格荥;张骕远 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失存储器，包括衬底、浮置栅极、控制栅极、源极区与漏极区。其中，衬底中设置有沟槽，且沟槽旁之衬底中具有阶梯状凹陷。浮置栅极设置于沟槽侧壁。控制栅极设置于沟槽与阶梯状凹陷之间的衬底上，且延伸至阶梯状凹陷中。源极区设置于沟槽底部之衬底中，漏极区则设置于阶梯状凹陷底部之衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失存储器，包括：衬底，该衬底中设置有沟槽，且该沟槽旁之该衬底具有阶梯状凹陷；浮置栅极，设置于该沟槽侧壁；控制栅极，设置于该沟槽与该阶梯状凹陷之间的该衬底上，且延伸至该阶梯状凹陷中；源极区，设置于该沟槽底部之该衬底中；以及漏极区，设置于该阶梯状凹陷底部之该衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
