[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610007039.1 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1819179A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 上野和良 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氮化的金属帽膜(35)位于包括CoWP的金属帽(34)的上部。金属帽(34)和氮化的金属帽膜(35)的层厚可以是例如1nm到100nmm。氮化的金属帽层(35)的层厚和金属帽(34)的层厚的比率可以是例如0.1到1。此外，通过氮化SiOC层(14a)的表面获得的SiOCN层(16)形成于SiOC层(14a)上。SiOCN层(16)是包括氮在表面上被隔离的区域的层，并且厚度可以是例如1nm到100nm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；具有凹部并位于所述半导体衬底上的绝缘层；包括铜且嵌入所述凹部中的金属层；和覆盖所述金属膜的上部的金属帽，其中所述金属帽的至少上部被氮化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610007039.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
