[发明专利]纯化碳纳米管中的碳质杂质的方法无效
| 申请号： | 200610007135.6 | 申请日： | 2006-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1891624A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种从碳纳米管(CNT)中选择性除去碳质杂质的方法。在该方法中，通过杂质和硫在密闭空间中的硫化反应除去在CNT表面上形成的杂质。更具体地，提供选择性地仅除去无定形碳的方法，通过该方法，碳纳米管壁不与硫反应，且仅有在CNT表面上形成的碳质杂质发生硫化反应(C+2S－－>CS2)，即，提供了通过硫化作用从结合到装置中的CNT中选择性地除去碳质杂质的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纯化 纳米 中的 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.纯化碳纳米管中的碳质杂质的方法，其包括：在密闭空间中准备硫和碳纳米管；以及通过硫化反应除去在碳纳米管表面上形成的杂质。
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