[发明专利]真空处理装置及其使用方法无效
| 申请号： | 200610007445.8 | 申请日： | 2006-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1819113A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 齐藤美佐子;林辉幸;小宫隆行 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/31;C23C16/44;C23C14/22;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种真空处理系统，包括用于收容被处理体并在真空状态下对其进行处理的处理腔室。所述处理腔室包括排气系统和气体供给系统。在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内，配置有产生负离子的负离子发生器。在所述处理腔室内配置有用于使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理系统，其特征在于，包括：用于收容被处理体并在真空氛围下进行处理的处理腔室；对所述处理腔室内进行排气的排气系统；向所述处理腔室内提供处理气体的气体供给系统；在所述处理腔室外并且与所述处理腔室内选择性地连接的空间内配置的、产生负离子的离子发生器；和在所述处理腔室内使所述被处理体形成为带负电的状态的负电荷施放器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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