[发明专利]基板处理方法、清洗方法、电子设备的制造方法和程序有效
| 申请号： | 200610007478.2 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1822327A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一;岩﨑贤也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种容易控制绝缘膜表面上的表面损伤层和切削残留等的除去量的电子设备的制造方法。形成低介电常数层间绝缘膜(115)，以覆盖形成晶片(W)上的配线(114)的绝缘膜(113)(B)；在该低介电常数层间绝缘膜(115)上加工形成通孔(118)(C)；在低介电常数层间绝缘膜(115)上形成由铜制成的导电膜(121)，同时，将铜填充至通孔(118)中(F)；利用CMP研磨导电膜(121)，露出低介电常数层间绝缘膜(115)(G)；将表面上有切削残留(116)、反应生成物(117)、残渣和疑似SiO2层(124)的低介电常数层间绝缘膜(115)暴露在氨气和氟化氢气体的混合气体氛围中(H)；再将由疑似SiO2层(124)改质的生成物层(123)加热至规定的温度(I)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 清洗 电子设备 制造 程序 | ||
【主权项】：
1.一种基板的处理方法，处理具有通过化学机械研磨而露出绝缘膜的基板，其特征在于，具有：在规定压力下，将所述露出的绝缘膜暴露在含有氨和氟化氢的混合气体氛围中的绝缘膜暴露步骤；和将暴露在所述混合气体氛围中的绝缘膜加热至规定温度的绝缘膜加热步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
