[发明专利]鳍片场效应晶体管及制造鳍片场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 200610007485.2 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1848454A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;B·B·多里斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用应力材料替代FINFET的栅极的一部分以给FINFET的沟道施加应力以提高电子和空穴迁移率并提高性能。FINFET具有SiGe/Si叠层栅极，并且在栅极的SiGe部分硅化之前有选择地蚀刻以形成栅极间隙，所述栅极间隙使栅极足够薄以便完全硅化。在硅化后，用应力氮化物膜填充栅极间隙以在沟道中产生应力并提高FINFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍片场效应晶体管(FINFET)，具有施加到FINFET沟道的应力以提高电子和空穴迁移率以提高性能，包括：源极，漏极和栅极；所述栅极包括叠层栅极，其中有选择地蚀刻所述栅极的一部分以形成栅极间隙，所述栅极间隙用应力膜重填充以在所述FINFET沟道中产生应力，以提高电子和空穴迁移率并且提高FINFET的性能。
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