[发明专利]形成多晶硅薄膜装置的方法有效
| 申请号： | 200610007569.6 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101022091A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 朱芳村;陈昱丞 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/20;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成多晶硅薄膜装置的方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一多晶硅薄膜于该基板上，其中该多晶硅薄膜具有朝一晶粒成长方向排列的多个硅晶粒；以及形成多个薄膜晶体管，每一该多个薄膜晶体管具有一信道区域，该信道区域是以该多晶硅薄膜的一部分所形成；其中至少一信道区域具有一信道方向平行该晶粒成长方向的等效平行信道区域，以及一信道方向垂直该晶粒成长方向的等效垂直信道区域。本发明提供一种形成多晶硅薄膜装置的方法，通过信道区域的设计而使得多晶硅薄膜装置上的薄膜晶体管呈现较佳电气特性均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多晶硅薄膜装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；形成一多晶硅薄膜于该基板上，其中该多晶硅薄膜具有朝一晶粒成长方向排列的多个硅晶粒；形成多个薄膜晶体管，每一该多个薄膜晶体管具有一信道区域，该信道区域以该多晶硅薄膜的一部分所形成；其中至少一信道区域具有一信道方向平行该晶粒成长方向的等效平行信道区域，以及一信道方向垂直该晶粒成长方向的等效垂直信道区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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