[发明专利]气体供给部件和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200610007746.0 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1828825A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 守屋刚;村上贵宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头(32)，在气体孔(35)与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔(35)的中心轴有n次旋转对称性(n是2以上的自然数)的斜面(201)。斜面(201)相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，配置气体孔(35)的直径为2mm，彼此的间隔为5mm。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 供给 部件 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气体供给部件，其配置在等离子体处理装置具有的腔室，具备与所述腔室的内部空间相对的平面和在所述平面上穿设的多个气体孔，从所述多个气体孔向所述内部空间供给气体，其特征在于：所述气体孔在所述平面上的外缘部具有与从所述气体孔排出的气流对应的斜面，所述斜面包括平面和曲面中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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