[发明专利]F密度测量方法、等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200610007747.5 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1828274A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;H01L21/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中F密度的方法。本方法是对处理容器(10)内容纳的被处理体(W)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)的等离子体中F密度进行测量的方法，其使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体(W)表面的F游离基发光强度[F*]和惰性气体发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 测量方法 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置的F密度测量方法，是在对处理容器内容纳的被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置的等离子体中的F密度测量方法，其特征在于：使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体表面上F游离基的发光强度[F*]和惰性气体的发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610007747.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：记录装置
- 下一篇：光源装置及其制造方法
