[发明专利]制造限制性电荷存储器的方法有效
| 申请号： | 200610007766.8 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1881567A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 邱骏仁;刘光文;陈昕辉;黄俊仁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造局部限制性电荷存储器的方法，此法可排除鸟喙效应的障碍。布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物层(oxide－nitride－oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极结构在曝露出来的ONO层上被形成。一个氧化物间隔沉积到该至少有一处曝露而形成栅极的ONO层的一部分上，没有被氧化物间隔覆盖的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一条位线形成在该曝露出来的基板上。本发明另一种制造局部限制性电荷存储器的方法，是在移除部分第一层多晶硅后，以一倾斜角度植入一布植囊袋穿过ONO层进入基板。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 限制性 电荷 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造限制性电荷存储器的方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一半导体基板，于其表面上有一氧化物-氮化物-氧化物层；沉积一第一多晶硅层于氧化物-氮化物-氧化物层上；顺一参考方向移除部分第一多晶硅层，以形成至少一个的栅极结构，曝露出部分的氧化物-氮化物-氧化物层；沉积一间隔氧化物于所述的至少一个的栅极结构的两侧和部分的氧化物-氮化物-氧化物层之上；移除部分没被间隔氧化物覆盖的氧化物-氮化物-氧化物层，以曝露出部分基板；以及于基板被曝露的部分上形成至少一条的位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
