[发明专利]半导体器件封装及其制造方法和半导体器件无效

专利信息
申请号: 200610007808.8 申请日: 2006-02-17
公开(公告)号: CN1822357A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 宫川弘志;小田切光广 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60;H05K1/02;H05K3/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 丁业平;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够实现其自身高速化的半导体器件封装。该半导体器件封装包括:基板,其具有接地面和电源面中至少之一;至少一个连接导体部,其形成在基板的开口部的内壁表面上,并且电连接到相应的接地面和电源面上;至少一个焊接图案,其形成在基板的前表面层部,位于所述开口部的边缘附近,并且连接到相应的连接导体部上;以及第二外部连接部,其形成在基板的前表面层侧,并且通过形成在基板中的通孔导体部分别地电连接到相应的接地面和电源面上。
搜索关键词: 半导体器件 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件封装,包括:基板,其包括接地面和电源面中至少之一;布线图案,其形成在所述基板的前表面侧;第一外部连接部,其从外部连接所述布线图案,并且形成在所述基板的前表面侧;开口部,其形成在所述基板中;至少一个连接导体部,其形成在所述开口部的内壁上,并且电连接到相应的所述接地面和电源面中至少之一上;至少一个焊接图案,其形成在所述基板的前表面侧,并且连接到相应的连接导体部上;以及第二外部连接部,其形成在所述基板的前表面侧,并且通过形成在所述基板中的通孔导体部电连接到相应的所述接地面和电源面中至少之一上。
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