[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200610007871.1 | 申请日： | 2006-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1897280A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：一第一栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上，该第二栅极结构是邻近于该第一栅极结构；以及一含氮蚀刻停止层，形成于该第一与第二栅极结构上以及该半导体基底上，其中形成于该第一与第二栅极结构上的该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形成于该半导体基底上的该含氮蚀刻停止层的一厚度，以改善后续形成于该第一与第二栅极结构间的该含氮蚀刻停止层上的一膜层的步阶覆盖情形。本发明所述半导体结构及其形成方法，可避免由于具非固定厚度的蚀刻停止层而生成孔洞的情形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：一第一栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二栅极结构，其侧壁上形成有至少一第二间隔物，位于一半导体基底上，该第二栅极结构是相邻于该第一栅极结构；以及一含氮蚀刻停止层，形成于该第一与第二栅极结构上以及该半导体基底上，其中形成于该第一与第二栅极结构上的该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形成于该半导体基底上的该含氮蚀刻停止层的一厚度，以改善后续形成于该第一与第二栅极结构间的该含氮蚀刻停止层上的一膜层的步阶覆盖情形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
