[发明专利]双电压三态缓冲器电路有效
| 申请号： | 200610007894.2 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1825767A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈国基;陈克明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双电压三态缓冲器电路，包括三态逻辑控制单元、电平移位器、以及后置驱动器电路。三态逻辑控制单元操作在低供应电压。电平移位器接收来自三态逻辑控制单元的一或多个输入信号，且与输出控制电路一起操作，用以控制电平移位器的两差动输出端。后置驱动器电路具有串联的PMOS晶体管及NMOS晶体管，且由电平移位器的两该差动输出端所驱动。其中，电平移位器、输出控制电路、以及后置驱动器电路操作在高供应电压。当三态逻辑控制单元产生多个输入信号以使后置驱动器电路处于高阻抗状态时，输出控制电路与电平移位器一起操作来关闭PMOS及NMOS晶体管，以使电平移位器隔离于高供应电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 三态缓冲器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种双电压三态缓冲器电路，其特征在于，所述双电压三态缓冲器电路包括：一三态逻辑控制单元，操作在一低供应电压；一电平移位器，接收来自该三态逻辑控制单元的一或多个输入信号，且与一输出控制电路一起操作，用以控制该电平移位器的两差动输出端；以及一后置驱动器电路，具有串联的一PMOS晶体管及一NMOS晶体管，且由该电平移位器的两该差动输出端所驱动；其中，该电平移位器、该输出控制电路、以及该后置驱动器电路操作在一高供应电压；以及其中，当该三态逻辑控制单元产生该输入信号以使该后置驱动器电路处于一高阻抗状态时，该输出控制电路与该电平移位器一起操作来关闭该PMOS及NMOS晶体管，以使该电平移位器隔离于该高供应电压。
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