[发明专利]半导体制造工序中产生的废气的处理装置及处理方法有效
| 申请号： | 200610007988.X | 申请日： | 2006-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101007237A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李到禧;洪雄基;李镇九;张源哲;金斗晟 | 申请（专利权）人： | 高化环保技术有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/75 | 分类号： | B01D53/75;B01D53/86;B01D53/04;B01D53/68 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;王玉双 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造工序中产生的废气的处理装置，该装置包括：流入废气的废气流入口；连接设置在上述废气流入口并提供空气的空气注入口；连接设置在上述废气流入口并具有吸附处理由流入口流入的废气的吸附层的吸附反应部；连接设置在上述吸附反应部并具有由吸附反应部排出的废气流入并对此进行催化处理的催化剂层的催化反应部；及连接设置在流入到上述催化反应部的废气的流动路径中并提供水的水注入口。根据本发明，可以在800℃以下去除从半导体制造工序或LCD制造工序中产生的废气中所包含的难分解性过氟化物，可以根据催化剂的填充量处理含有大量以及/或者高浓度的过氟化物的废气。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工序 产生 废气 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种废气处理装置，用于处理半导体制造工序中产生的废气，其特征在于，所述废气处理装置包括：废气流入口，其用于流入废气；空气注入口，其连接设置在上述废气流入口并用于提供空气；吸附反应部，其连接设置在上述废气流入口、并具有吸附处理由废气流入口流入的废气的吸附层；催化反应部，其连接设置在上述吸附反应部、并具有由吸附反应部排出的废气流入并对该废气进行催化处理的催化剂层；以及水注入口，其连接设置在流入到上述催化反应部的废气的流动路径中、并用于提供水。
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