[发明专利]电子装置有效
申请号: | 200610008034.0 | 申请日: | 2006-02-23 |
公开(公告)号: | CN1828881A | 公开(公告)日: | 2006-09-06 |
发明(设计)人: | 横塚刚秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛松生 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本发明的电子装置具备由夹在各自形成的连接部分之间的连接层连接且热膨胀率不同的一对构件,上述连接层是通过使由彼此不同的材料在上述连接部分分别形成的金属层仅在其接触界面的附近熔融的该金属层间的扩散反应形成的。上述金属层的至少一个是通过电镀形成,这样,以可吸收上述一对构件的热膨胀率差的充分厚度形成上述连接层。由于上述一对构件连接后的上述连接层的熔融温度比上述扩散反应中的其熔融温度升高,所以能够防止由于在该连接后进行的加热处理而引起的该连接层的破损,能够确保电子装置的高可靠性。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.电子装置,其特征在于:具备电子器件以及衬底,所述的电子器件具有第1电极和在该第1电极的表面形成的至少1层的第1金属膜,所述的衬底具有与上述电子器件的上述第1电极电连接的第2电极和在该第2电极表面形成的至少1层的第2金属膜;上述电子器件和上述衬底是通过以下方式连接,即,使上述第1金属膜的最表面和上述第2电极的最表面接触,在第1金属膜及第2金属膜的各自的熔融温度以下且在第1金属膜和第2金属膜的共晶温度以上使第1金属膜和第2金属膜的最表面接触的界面附近熔融,通过第1金属膜和第2金属膜的扩散反应在该界面附近形成包含第1金属膜及第2金属膜的各个构成元素的合金部分,由此实现连接;连接了上述电子器件和上述衬底后的上述合金部分的熔融开始温度,比连接该电子器件和衬底时的上述界面附近的上述第1金属膜和上述第2金属膜的熔融开始温度升高,而且,上述第1金属膜及上述第2金属膜中的至少一方包含通过电镀形成的至少1个金属层。
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