[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 200610008584.2 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1822458A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 我妻新一;内田史朗 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。该半导体激光器防止由于高阶模式所导致的拐点，并因此而实现高的输出水平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种有效参数型半导体激光器，其具有依次向上设置的下覆层、有源层和上覆层，所述上覆层形成为条形脊结构，其中形成所述条形脊结构的底部和斜坡的所述上覆层用由两层或更多层低折射率层形成的分层结构的掩埋层覆盖，以防止激光的吸收，吸收振荡波长激光的光吸收层插入在它们之间。
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