[发明专利]碳纳米管结构及其制造方法、场发射装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610008640.2 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1830766A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 韩仁泽;金夏辰 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00;H01J29/02;H01J31/12;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供CNT结构及其制造方法、以及利用该CNT结构的FED装置及其制造方法。该CNT结构包括基板、涂覆在基板上具有预定尺寸的多个缓冲颗粒、通过对在基板上沉积至预定厚度从而覆盖缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在缓冲颗粒的表面上的多个催化剂层、以及从催化剂层生长的多个CNT。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 及其 制造 方法 发射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管结构(CNT结构)，包括：基板；多个缓冲颗粒，其具有预定尺寸且涂覆在所述基板上；多个催化剂层，其通过对在所述基板上沉积至预定厚度从而覆盖所述缓冲颗粒的催化剂材料进行退火而形成在所述缓冲颗粒的表面上；以及多个CNT，其从所述催化剂层生长。
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