[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 200610008645.5 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1862790A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 木城耕一 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法包含：准备具有隔着第1绝缘膜在支持衬底上形成的半导体层的SOI衬底的工序；在SOI衬底上形成多个SOI晶体管的工序；将多个SOI晶体管遍及多层地适当地布线的工序；通过多个层的布线中的最上层布线实现支持衬底和SOI晶体管的电连接的工序。根据本发明可以减少由WP工序所造成的晶体管特性改变或栅氧化膜的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：准备具有隔着第1绝缘膜形成在支持衬底上的半导体层的SOI衬底的工序；在上述SOI衬底上形成多个SOI晶体管的工序；对上述SOI晶体管遍及多个层地适当地布线的工序；和通过在上述多个层的布线中的最上层的布线实现支持衬底与SOI晶体管的电连接的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
