[发明专利]快闪存储装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610008845.0 | 申请日： | 2006-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1832135A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 童且德;权在淳 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于制造快闪存储装置的方法，其通过移除在晶片的边缘处的粒子，当预清洗隧道氧化膜时，防止粒子在该晶片的边缘周围散开。因此，其能够解决该隧道氧化膜质量降低和有缺陷的图案所引起的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造快闪存储装置的方法，该方法包括：在晶片的高压区中形成氧化膜，该基板包括第一低压区和该高压区；采用蚀刻工艺自该晶片的外部移除粒子；预清洗该晶片；及以第一厚度在该低压区中形成隧道氧化膜和以第二厚度在该高压场中形成栅极氧化膜，该第二厚度比该第一厚度厚该氧化膜的厚度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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